Name: DMN32D2LDF-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN32D2LDF-7DITR-ND
Price: 0.34592 CHF
Availability: InStock

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DMN32D2LDF-7
Codice DigiKey	DMN32D2LDF-7DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMN32D2LDF-7DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMN32D2LDF-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN32D2LDF-7
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 400mA 280mW A montaggio superficiale SOT-353
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	DMN32D2LDF-7 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	Sorgente comune (doppia)a 2 canali N
Funzione FET	Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)	30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	400mA
RDSon (max) a Id, Vgs	1,2ohm a 100mA, 4V
Vgs(th) max a Id	1,2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	39pF a 3V
Potenza - Max	280mW
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Contenitore del fornitore	SOT-353
Codice componente base	DMN32

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Nastrato in bobina (TR)