Name: DMN32D2LFB4-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN32D2LFB4DITR-ND
Price: 0.61617 CHF
Availability: InStock

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DMN32D2LFB4-7
Codice DigiKey	DMN32D2LFB4DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMN32D2LFB4DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMN32D2LFB4DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN32D2LFB4-7
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 300MA 3DFN
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 300mA (Ta) 350mW (Ta) A montaggio superficiale X2-DFN1006-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1,2V a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Vgs (max) ±10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 39 pF @ 3 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 350mW (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore X2-DFN1006-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 300mA (Ta)	Contenitore/involucro 3-XFDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,8V, 4V	Codice componente base DMN32
RDSon (max) a Id, Vgs 1,2ohm a 100mA, 4V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.57000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.61617

DMN32D2LFB4-7