Name: DMN4800LSS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN4800LSSDITR-ND
Price: 0.63779 CHF
Availability: InStock

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DMN4800LSS-13
Codice DigiKey	DMN4800LSSDITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMN4800LSSDICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMN4800LSSDIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN4800LSS-13
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 9 A (Ta) 1,46W (Ta) A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1,6V a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 9.47 nC @ 5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±25V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 798 pF @ 10 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 1,46W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 9 A (Ta)	Contenitore del fornitore 8-SO
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
RDSon (max) a Id, Vgs 16mohm a 9A, 10V	Codice componente base DMN4800

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.59000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.63779

DMN4800LSS-13