Name: DMN53D0LW-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN53D0LW-13DITR-ND
Price: 0.03315 CHF
Availability: OutOfStock

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Diodes Incorporated

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DMN53D0LW-13
Codice DigiKey	DMN53D0LW-13DITR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN53D0LW-13
Descrizione	MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 50 V 360mA (Ta) 320mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-323
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	DMN53D0LW-13 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	50 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	360mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	2ohm a 270mA, 10V
Vgs(th) max a Id	1,5V a 100µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	1.2 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	45.8 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	320mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-323
Contenitore/involucro	SC-70, SOT-323
Codice componente base	DMN53

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Nastrato in bobina (TR)