Name: DMN60H080DS-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN60H080DS-7DITR-ND
Price: 0.35673 CHF
Availability: InStock

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DMN60H080DS-7
Codice DigiKey	DMN60H080DS-7DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMN60H080DS-7DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMN60H080DS-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN60H080DS-7
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23-3
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 80mA (Ta) 1,1W (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	80mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	100ohm a 60mA, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	1.7 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	25 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,1W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-23-3
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Codice componente base	DMN60

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Nastrato in bobina (TR)