Name: DMN61D8L-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN61D8L-13DITR-ND
Price: 0.1112 CHF
Availability: OutOfStock

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DMN61D8L-13
Codice DigiKey	DMN61D8L-13DITR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN61D8L-13
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 470mA (Ta) 390mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	470mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	3V, 5V
RDSon (max) a Id, Vgs	1,8ohm a 150mA, 5V
Vgs(th) max a Id	2V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	0.74 nC @ 5 V
Vgs (max)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	12.9 pF @ 12 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	390mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-23-3
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Codice componente base	DMN61

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