Name: DMN61D9UDWQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN61D9UDWQ-13TR-ND
Price: 0.03867 CHF
Availability: OutOfStock

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Diodes Incorporated

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DMN61D9UDWQ-13
Codice DigiKey	31-DMN61D9UDWQ-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN61D9UDWQ-13
Descrizione	MOSFET 2N-CH 60V 0.318A SOT363
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 60V 318mA (Ta) 370mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-363
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Carica del gate (Qg) max a Vgs 0,6nC a 4,5V
Produttore Diodes Incorporated	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 39pF a 30V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Potenza - Max 370mW (Ta)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Configurazione 2 canali N (doppio)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 60V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 318mA (Ta)	Contenitore/involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
RDSon (max) a Id, Vgs 2ohm a 50mA, 5V	Contenitore del fornitore SOT-363
Vgs(th) max a Id 1V a 250µA	Codice componente base DMN61

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
DMN61D9UDWQ-7	Diodes Incorporated	0	31-DMN61D9UDWQ-7CT-ND	Fr. 0.23000	Equivalente parametrico

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Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.03867

DMN61D9UDWQ-13