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DMN62D0UV-13 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 31-DMN62D0UV-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | DMN62D0UV-13 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 60V 0.49A SOT563 |
Tempi di consegna standard del produttore | 40 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 60V 490mA (Ta) 470mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-563 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 1V a 250µA |
Produttore Diodes Incorporated | Carica del gate (Qg) max a Vgs 0,5nC a 4,5V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 32pF a 30V |
Stato componente Attivo | Potenza - Max 470mW (Ta) |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configurazione 2 canali N (doppio) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Funzione FET Porta a livello logico | Contenitore/involucro SOT-563, SOT-666 |
Tensione drain/source (Vdss) 60V | Contenitore del fornitore SOT-563 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 490mA (Ta) | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 2ohm a 100mA, 4,5V |
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Sostituti (1)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| DMN62D0UV-7 | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMN62D0UV-7CT-ND | Fr. 0.30000 | Equivalente parametrico |
Disponibile su ordinazione
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 10’000 | Fr. 0.04840 | Fr. 484.00 |
| 20’000 | Fr. 0.04426 | Fr. 885.20 |
| 30’000 | Fr. 0.04214 | Fr. 1’264.20 |
| 50’000 | Fr. 0.03977 | Fr. 1’988.50 |
| 70’000 | Fr. 0.03836 | Fr. 2’685.20 |
| 100’000 | Fr. 0.03710 | Fr. 3’710.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.04840 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.05232 |
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