Name: DMN65D8LDW-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN65D8LDW-7DITR-ND
Price: 0.23782 CHF
Availability: OutOfStock

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DMN65D8LDW-7
Codice DigiKey	DMN65D8LDW-7DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMN65D8LDW-7DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMN65D8LDW-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN65D8LDW-7
Descrizione	MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 60V 180mA 300mW A montaggio superficiale SOT-363
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 2V a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 0,87nC a 10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 22pF a 25V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 300mW
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione 2 canali N (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Funzione FET Porta a livello logico	Contenitore/involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tensione drain/source (Vdss) 60V	Contenitore del fornitore SOT-363
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 180mA	Codice componente base DMN65
RDSon (max) a Id, Vgs 6ohm a 115mA, 10V

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
2N7002DW	onsemi	46’793	2N7002DWCT-ND	Fr. 0.40000	Simile
NTJD5121NT1G	onsemi	197’543	NTJD5121NT1GOSCT-ND	Fr. 0.23000	Simile

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Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.23782

DMN65D8LDW-7