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onsemi
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Scheda tecnica

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Scheda tecnica
Canale N 40 V 50 A (Tc) 2,6W (Ta) A montaggio superficiale TO-252-3
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Canale N 40 V 50 A (Tc) 2,6W (Ta) A montaggio superficiale TO-252-3
TO-252-3

DMNH4011SK3Q-13

Codice DigiKey
DMNH4011SK3Q-13DITR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
DMNH4011SK3Q-13
Descrizione
MOSFET N-CH 40V 50A TO252
Tempi di consegna standard del produttore
40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 40 V 50 A (Tc) 2,6W (Ta) A montaggio superficiale TO-252-3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
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Categoria
Carica del gate (Qg) max a Vgs
25.5 nC @ 10 V
Produttore
Vgs (max)
±20V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1405 pF @ 20 V
Stato componente
Attivo
Dissipazione di potenza (max)
2,6W (Ta)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia
Grado
Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss)
40 V
Qualifica
AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Contenitore del fornitore
TO-252-3
RDSon (max) a Id, Vgs
10mohm a 50A, 10V
Contenitore/involucro
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (2)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
FDD8445onsemi242FDD8445CT-NDFr. 1.03000Simile
FDD8447Lonsemi0FDD8447LCT-NDFr. 1.00000Simile
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2’500Fr. 0.42324Fr. 1’058.10
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.42324
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.45752