Name: DMNH6022SSDQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMNH6022SSDQ-13DITR-ND
Price: 1.48097 CHF
Availability: InStock

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DMNH6022SSDQ-13
Codice DigiKey	DMNH6022SSDQ-13DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMNH6022SSDQ-13DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMNH6022SSDQ-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMNH6022SSDQ-13
Descrizione	MOSFET 2N-CH 60V 7.1A/22.6A 8SO
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 60V 7,1 A, 22,6 A 1,5W A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	2 canali N (doppio)
Funzione FET	-
Tensione drain/source (Vdss)	60V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	7,1 A, 22,6 A
RDSon (max) a Id, Vgs	27mohm a 5A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	32nC a 30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2127pF a 25V
Potenza - Max	1,5W
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Contenitore del fornitore	8-SO
Codice componente base	DMNH6022

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Nastrato in bobina (TR)