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DMNH6042SSD-13 | |
|---|---|
Codice DigiKey | DMNH6042SSD-13-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | DMNH6042SSD-13 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 60V 16.7A 8SOIC |
Tempi di consegna standard del produttore | 40 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 60V 16,7 A (Tc) 2.1W A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 4,2nC a 4,5V |
Produttore Diodes Incorporated | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 584pF a 25V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Potenza - Max 2.1W |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Grado Automobilistico |
Configurazione 2 canali N (doppio) | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 60V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 16,7 A (Tc) | Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) |
RDSon (max) a Id, Vgs 50mohm a 5,1A, 10V | Contenitore del fornitore 8-SOIC |
Vgs(th) max a Id 3V a 250µA | Codice componente base |
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Sostituti (2)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| DMNH6042SSDQ-13 | Diodes Incorporated | 574 | DMNH6042SSDQ-13DICT-ND | Fr. 1.43000 | Equivalente parametrico |
| SI4900DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 195 | SI4900DY-T1-E3CT-ND | Fr. 1.49000 | Simile |
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.32823 | Fr. 820.58 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.32823 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.35482 |
