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Sostituti disponibili:

Equivalente parametrico


Diodes Incorporated
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 1.25000
Scheda tecnica

Simile


Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino: 155
Prezzo unitario : Fr. 1.03000
Scheda tecnica
Canale P 20 V 89 A (Tc) 2,2W (Ta) A montaggio superficiale PowerDI3333-8
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DMP2005UFG-7

Codice DigiKey
DMP2005UFG-7-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
DMP2005UFG-7
Descrizione
MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333
Tempi di consegna standard del produttore
40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 20 V 89 A (Tc) 2,2W (Ta) A montaggio superficiale PowerDI3333-8
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
900mV a 250µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
125 nC @ 10 V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Vgs (max)
±10V
Stato componente
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
4670 pF @ 10 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
2,2W (Ta)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
20 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
PowerDI3333-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
1,8V, 4,5V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
4mohm a 15A, 4,5V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (2)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
DMP2005UFG-13Diodes Incorporated031-DMP2005UFG-13CT-NDFr. 1.25000Equivalente parametrico
TPN4R712MD,L1QToshiba Semiconductor and Storage155TPN4R712MDL1QCT-NDFr. 1.03000Simile
Disponibile su ordinazione
Scorte di fabbrica: 36’000
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2’000Fr. 0.33759Fr. 675.18
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.33759
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.36493