Canale P 50 V 200mA (Ta) 425mW (Ta) A montaggio superficiale X1-DFN1006-3
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DMP57D5UFB-7

Codice DigiKey
DMP57D5UFB-7DITR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
DMP57D5UFB-7
Descrizione
MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 50 V 200mA (Ta) 425mW (Ta) A montaggio superficiale X1-DFN1006-3
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
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Categoria
RDSon (max) a Id, Vgs
6ohm a 100mA, 4V
Produttore
Vgs(th) max a Id
1V a 250µA
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Vgs (max)
±8V
Stato componente
Obsoleto
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
29 pF @ 4 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
425mW (Ta)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
50 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
X1-DFN1006-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
2,5V, 4V
Contenitore/involucro
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Obsoleto
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