Name: DMP3130L-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMP3130LDITR-ND
Price: 0.49726 CHF
Availability: InStock

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DMP3130L-7
Codice DigiKey	DMP3130LDITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMP3130LDICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMP3130LDIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMP3130L-7
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 3,5 A (Ta) 700mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	DMP3130L-7 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Non per nuovi progetti
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	3,5 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	2,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	77mohm a 4,2A, 10V
Vgs(th) max a Id	1,3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	12 nC @ 10 V
Vgs (max)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	432 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	700mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-23-3
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Codice componente base	DMP3130

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Nastrato in bobina (TR)