Name: DMP31D0UFB4-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMP31D0UFB4-7BDITR-ND
Price: 0.45402 CHF
Availability: InStock

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DMP31D0UFB4-7B
Codice DigiKey	DMP31D0UFB4-7BDITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMP31D0UFB4-7BDICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMP31D0UFB4-7BDIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMP31D0UFB4-7B
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 540MA 3DFN
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 540mA (Ta) 460mW (Ta) A montaggio superficiale X2-DFN1006-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	DMP31D0UFB4-7B Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	540mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,8V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	1ohm a 400mA, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1,1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	0.9 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	76 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	460mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	X2-DFN1006-3
Contenitore/involucro	3-XFDFN
Codice componente base	DMP31

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