Name: DMP6018LPSQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMP6018LPSQ-13TR-ND
Price: 2.31334 CHF
Availability: InStock

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DMP6018LPSQ-13
Codice DigiKey	31-DMP6018LPSQ-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 31-DMP6018LPSQ-13CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 31-DMP6018LPSQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMP6018LPSQ-13
Descrizione	MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 60 A (Tc) 2,6W (Ta), 113W (Tc) A montaggio superficiale PowerDI5060-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	DMP6018LPSQ-13 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 13.7 nC @ 10 V
Produttore Diodes Incorporated	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3505 pF @ 30 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,6W (Ta), 113W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 60 A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore del fornitore PowerDI5060-8
RDSon (max) a Id, Vgs 18mohm a 17A, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA