Name: DMS3015SSS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMS3015SSS-13DITR-ND
Price: 0.63779 CHF
Availability: InStock

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DMS3015SSS-13
Codice DigiKey	DMS3015SSS-13DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMS3015SSS-13DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMS3015SSS-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMS3015SSS-13
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 11 A (Ta) 1,55W (Ta) A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	DMS3015SSS-13 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 30.6 nC @ 10 V
Produttore Diodes Incorporated	Vgs (max) ±12V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1276 pF @ 15 V
Stato componente Attivo	Funzione FET Diodo Schottky (body)
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 1,55W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 11 A (Ta)	Contenitore del fornitore 8-SO
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
RDSon (max) a Id, Vgs 11,9mohm a 11A, 10V	Codice componente base DMS3015
Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA

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In magazzino: 39’672

Scorte di fabbrica: 2’500

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Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.59000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.63779

DMS3015SSS-13