Name: DMT10H072LFV-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT10H072LFV-13DI-ND
Price: 0.24834 CHF
Availability: OutOfStock

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Diodes Incorporated

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DMT10H072LFV-13
Codice DigiKey	DMT10H072LFV-13DI-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMT10H072LFV-13
Descrizione	MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 4,7A (Ta), 20A (Tc) 2W (Ta) A montaggio superficiale PowerDI3333-8 (tipo UX)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,8V a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 4.5 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 228 pF @ 50 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4,7A (Ta), 20A (Tc)	Contenitore del fornitore PowerDI3333-8 (tipo UX)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 62mohm a 4,5A, 10V	Codice componente base DMT10

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Sostituti (1)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
DMT10H072LFV-7	Diodes Incorporated	19	31-DMT10H072LFV-7CT-ND	Fr. 0.78000	Equivalente parametrico

Disponibile su ordinazione

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Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3’000	Fr. 0.22973	Fr. 689.19

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.22973
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.24834

DMT10H072LFV-13