Name: DMT3002LPS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT3002LPS-13-ND
Price: 0.46437 CHF
Availability: OutOfStock

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DMT3002LPS-13
Codice DigiKey	DMT3002LPS-13-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMT3002LPS-13
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 100A PWRDI5060-8
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 100 A (Tc) 1,2W (Ta), 136W (Tc) A montaggio superficiale PowerDI5060-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	100 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	1,6mohm a 25A, 10V
Vgs(th) max a Id	2V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	77 nC @ 10 V
Vgs (max)	±16V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	5000 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,2W (Ta), 136W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PowerDI5060-8
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN
Codice componente base	DMT3002

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Nastrato in bobina (TR)