Name: DMT6010LPS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT6010LPS-13DITR-ND
Price: 1.39449 CHF
Availability: InStock

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DMT6010LPS-13
Codice DigiKey	DMT6010LPS-13DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMT6010LPS-13DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMT6010LPS-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMT6010LPS-13
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 13.5A PWRDI5060
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 13,5 A (Ta), 80 A (Tc) 2,2W (Ta), 113W (Tc) A montaggio superficiale PowerDI5060-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 41.3 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2090 pF @ 30 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 2,2W (Ta), 113W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 13,5 A (Ta), 80 A (Tc)	Contenitore del fornitore PowerDI5060-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 8mohm a 20A, 10V	Codice componente base DMT6010

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