Name: DMT6018LDR-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT6018LDR-13TR-ND
Price: 1.35125 CHF
Availability: InStock

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DMT6018LDR-13
Codice DigiKey	31-DMT6018LDR-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 31-DMT6018LDR-13CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 31-DMT6018LDR-13DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMT6018LDR-13
Descrizione	MOSFET 2N-CH 60V 8.8A 8VDFN
Tempi di consegna standard del produttore	24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 60V 8,8 A (Ta) 1.9W A montaggio superficiale V-DFN3030-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 13,9nC a 10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 869pF a 30V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 1.9W
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione 2 canali N (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 60V	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 8,8 A (Ta)	Contenitore del fornitore V-DFN3030-8
RDSon (max) a Id, Vgs 17mohm a 8,2A, 10V	Codice componente base DMT6018

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In magazzino: 16’145

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Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
10’000	Fr. 0.29218	Fr. 2’921.80
20’000	Fr. 0.27596	Fr. 5’519.20

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.25000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.35125

DMT6018LDR-13