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Diodes Incorporated
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.32336
Scheda tecnica
8-PowerVDFN
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DMT67M8LCG-13

Codice DigiKey
31-DMT67M8LCG-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
DMT67M8LCG-13
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 16A/64.6A 8DFN
Tempi di consegna standard del produttore
12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 60 V 16A (Ta), 64,6A (Tc) 900mW (Ta) A montaggio superficiale V-DFN3333-8 (tipo B)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
5,7mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
37.5 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2130 pF @ 30 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
900mW (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
V-DFN3333-8 (tipo B)
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 0.30871Fr. 926.13
6’000Fr. 0.28686Fr. 1’721.16
9’000Fr. 0.28460Fr. 2’561.40
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.30871
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.33372