Name: DMT69M5LCG-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT69M5LCG-7TR-ND
Price: 0.26847 CHF
Availability: OutOfStock

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Diodes Incorporated

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Prezzo unitario : Fr. 0.22542

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DMT69M5LCG-7
Codice DigiKey	31-DMT69M5LCG-7TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMT69M5LCG-7
Descrizione	MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 14,6A (Ta), 52,1A (Tc) 1,37W (Ta) A montaggio superficiale V-DFN3333-8 (tipo B)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 28.4 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1406 pF @ 30 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 1,37W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 14,6A (Ta), 52,1A (Tc)	Contenitore del fornitore V-DFN3333-8 (tipo B)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 8,3mohm a 13,5A, 10V

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
DMT69M5LCG-13	Diodes Incorporated	0	31-DMT69M5LCG-13TR-ND	Fr. 0.22542	Equivalente parametrico

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Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2’000	Fr. 0.24835	Fr. 496.70
4’000	Fr. 0.24797	Fr. 991.88

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.24835
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.26847

DMT69M5LCG-7