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DMTH10H009LFG-13 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 31-DMTH10H009LFG-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | DMTH10H009LFG-13 |
Descrizione | MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33 |
Tempi di consegna standard del produttore | 40 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 14 A (Ta), 55 A (Tc) 2,5W (Ta) A montaggio superficiale POWERDI3333-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 41 nC @ 10 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Vgs (max) ±20V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2361 pF @ 50 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 100 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore POWERDI3333-8 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 8,5mohm a 20 A, 10V | Codice componente base |
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Sostituti (1)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| DMTH10H009LFG-7 | Diodes Incorporated | 2’236 | 31-DMTH10H009LFG-7CT-ND | Fr. 1.59000 | Equivalente parametrico |
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Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.47087 | Fr. 1’412.61 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.47087 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.50901 |
