Name: DMTH10H009LFGQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH10H009LFGQ-13TR-ND
Price: 0.43052 CHF
Availability: OutOfStock

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Diodes Incorporated

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Prezzo unitario : Fr. 0.47447

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DMTH10H009LFGQ-13
Codice DigiKey	31-DMTH10H009LFGQ-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMTH10H009LFGQ-13
Descrizione	MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 12 A (Ta), 46 A (Tc) 2,5W (Ta), 39W (Tc) A montaggio superficiale POWERDI3333-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 41 nC @ 10 V
Produttore Diodes Incorporated	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2361 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 39W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 12 A (Ta), 46 A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore del fornitore POWERDI3333-8
RDSon (max) a Id, Vgs 8,5mohm a 20 A, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA

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Sostituti (1)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
DMTH10H009LFGQ-7	Diodes Incorporated	0	31-DMTH10H009LFGQ-7TR-ND	Fr. 0.47447	Equivalente parametrico

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Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3’000	Fr. 0.39826	Fr. 1’194.78
6’000	Fr. 0.38512	Fr. 2’310.72

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.39826
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.43052

DMTH10H009LFGQ-13