Name: DMTH10H010SPSQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH10H010SPSQ-13TR-ND
Price: 2.64845 CHF
Availability: InStock

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DMTH10H010SPSQ-13
Codice DigiKey	31-DMTH10H010SPSQ-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 31-DMTH10H010SPSQ-13CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 31-DMTH10H010SPSQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMTH10H010SPSQ-13
Descrizione	MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 11,8 A (Ta), 100 A (Tc) 1,5W (Ta), 166W (Tc) A montaggio superficiale PowerDI5060-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 56.4 nC @ 10 V
Produttore Diodes Incorporated	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4468 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 1,5W (Ta), 166W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 11,8 A (Ta), 100 A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Contenitore del fornitore PowerDI5060-8
RDSon (max) a Id, Vgs 8,8mohm a 13A, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Vgs(th) max a Id 4V a 250µA	Codice componente base DMTH10

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Sostituti (1)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
BSC098N10NS5ATMA1	Infineon Technologies	5’654	BSC098N10NS5ATMA1CT-ND	Fr. 1.56000	Simile

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 2.45000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 2.64845

DMTH10H010SPSQ-13