Name: DMTH10H032LFVW-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH10H032LFVW-13-ND
Price: 0.88642 CHF
Availability: OutOfStock

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DMTH10H032LFVW-13
Codice DigiKey	31-DMTH10H032LFVW-13-ND
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMTH10H032LFVW-13
Descrizione	MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI33
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 26 A (Tc) 1,7W (Ta) Montaggio superficiale, fianchi impregnabili PowerDI3333-8 (SWP) tipo UX
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	DMTH10H032LFVW-13 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 11.9 nC @ 10 V
Confezionamento Sfuso	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 683 pF @ 50 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 1,7W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio Montaggio superficiale, fianchi impregnabili
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 26 A (Tc)	Contenitore del fornitore PowerDI3333-8 (SWP) tipo UX
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 30mohm a 10A, 10V	Codice componente base DMTH10

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Codice componente	Produttore	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
DMTH10H032LFVW-7	Diodes Incorporated	31-DMTH10H032LFVW-7-ND	Fr. 0.82000	Equivalente parametrico
DMTH10H032LFVWQ-13	Diodes Incorporated	31-DMTH10H032LFVWQ-13-ND	Fr. 0.89000	Equivalente parametrico
DMTH10H032LFVWQ-7	Diodes Incorporated	31-DMTH10H032LFVWQ-7-ND	Fr. 0.20950	Equivalente parametrico

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Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.88642

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