Name: DMTH10H071LFDFW-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH10H071LFDFW-13TR-ND
Price: 0.13388 CHF
Availability: OutOfStock

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Novità in DigiKey

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DMTH10H071LFDFW-13
Codice DigiKey	31-DMTH10H071LFDFW-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMTH10H071LFDFW-13
Descrizione	IC
Tempi di consegna standard del produttore	24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 4,6 A (Ta) 1,8W (Ta) Montaggio superficiale, fianchi impregnabili U-DFN2020-6 (SWP) (tipo UXG)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	4,6 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	68mohm a 4A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	6.4 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	296 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,8W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale, fianchi impregnabili
Contenitore del fornitore	U-DFN2020-6 (SWP) (tipo UXG)
Contenitore/involucro	6-UDFN piazzola esposta