Name: DMTH45M5LPSWQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH45M5LPSWQ-13TR-ND
Price: 1.16748 CHF
Availability: InStock

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DMTH45M5LPSWQ-13
Codice DigiKey	31-DMTH45M5LPSWQ-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 31-DMTH45M5LPSWQ-13CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 31-DMTH45M5LPSWQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMTH45M5LPSWQ-13
Descrizione	MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 86 A (Tc) 3,5W (Ta), 72W (Tc) Montaggio superficiale, fianchi impregnabili PowerDI5060-8 (tipo UX)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	DMTH45M5LPSWQ-13 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 13.9 nC @ 10 V
Produttore Diodes Incorporated	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 978 pF @ 20 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3,5W (Ta), 72W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 86 A (Tc)	Tipo di montaggio Montaggio superficiale, fianchi impregnabili
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore del fornitore PowerDI5060-8 (tipo UX)
RDSon (max) a Id, Vgs 5,5mohm a 25A, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Vgs(th) max a Id 2,3V a 250µA	Codice componente base DMTH45M

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In magazzino: 4’360

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Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.08000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.16748

DMTH45M5LPSWQ-13