Name: DMTH47M2LPSW-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH47M2LPSW-13TR-ND
Price: 0.20887 CHF
Availability: OutOfStock

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DMTH47M2LPSWQ-13

Diodes Incorporated

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Scheda tecnica

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DMTH47M2LPSW-13
Codice DigiKey	31-DMTH47M2LPSW-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMTH47M2LPSW-13
Descrizione	MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 73 A (Tc) 3,8W (Ta), 68W (Tc) Montaggio superficiale, fianchi impregnabili PowerDI5060-8 (tipo UX)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	73 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	7,3mohm a 20 A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	14 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	891 pF @ 20 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3,8W (Ta), 68W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale, fianchi impregnabili
Contenitore del fornitore	PowerDI5060-8 (tipo UX)
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN
Codice componente base	DMTH47

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Quantità

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Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2’500	Fr. 0.19322	Fr. 483.05
5’000	Fr. 0.17769	Fr. 888.45
7’500	Fr. 0.16978	Fr. 1’273.35
12’500	Fr. 0.16089	Fr. 2’011.12
17’500	Fr. 0.15880	Fr. 2’779.00