Name: DMTH48M3SFVWQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH48M3SFVWQ-13TR-ND
Price: 0.81075 CHF
Availability: InStock

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DMTH48M3SFVWQ-13
Codice DigiKey	31-DMTH48M3SFVWQ-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 31-DMTH48M3SFVWQ-13CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 31-DMTH48M3SFVWQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMTH48M3SFVWQ-13
Descrizione	MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Tempi di consegna standard del produttore	28 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 14,6A (Ta), 52,4A (Tc) 2,82W (Ta), 36,6W (Tc) Montaggio superficiale, fianchi impregnabili PowerDI3333-8 (SWP) tipo UX
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	14,6A (Ta), 52,4A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	8,9mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	12.1 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	897 pF @ 20 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,82W (Ta), 36,6W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale, fianchi impregnabili
Contenitore del fornitore	PowerDI3333-8 (SWP) tipo UX
Contenitore/involucro	8-PowerVDFN

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)