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DMTH6010LPD-13
Diodes Incorporated
In magazzino: 8’548
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DMTH6010LPDQ-13
Diodes Incorporated
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 1.34000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

DMTH6010LPDW-13
Diodes Incorporated
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.52176
Scheda tecnica
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MOSFET - Array 60V 13,1 A (Ta), 47,6 A (Tc) 2,8W (Ta), 37,5W (Tc) A montaggio superficiale PowerDI5060-8 (tipo UXD)
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DMTH6010LPDWQ-13

Codice DigiKey
31-DMTH6010LPDWQ-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Diodes Incorporated
Codice produttore
DMTH6010LPDWQ-13
Descrizione
MOSFET 2N-CH 60V 13.1A PWRDI50
Tempi di consegna standard del produttore
12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 60V 13,1 A (Ta), 47,6 A (Tc) 2,8W (Ta), 37,5W (Tc) A montaggio superficiale PowerDI5060-8 (tipo UXD)
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Diodes Incorporated
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
60V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
13,1 A (Ta), 47,6 A (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs
11mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id
3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
40,2nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2615pF a 30V
Potenza - Max
2,8W (Ta), 37,5W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-PowerTDFN
Contenitore del fornitore
PowerDI5060-8 (tipo UXD)
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2’500Fr. 0.35673Fr. 891.82
5’000Fr. 0.33153Fr. 1’657.65
7’500Fr. 0.32940Fr. 2’470.50
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.35673
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.38563