Name: DMTH6010LPSWQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH6010LPSWQ-13TR-ND
Price: 1.31882 CHF
Availability: InStock

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DMTH6010LPSWQ-13
Codice DigiKey	31-DMTH6010LPSWQ-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 31-DMTH6010LPSWQ-13CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 31-DMTH6010LPSWQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMTH6010LPSWQ-13
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 15.5A/98A PWRDI
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 15,5A (Ta), 98A (Tc) 2,9W (Ta), 115W (Tc) A montaggio superficiale PowerDI5060-8 (tipo Q)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 41.3 nC @ 10 V
Produttore Diodes Incorporated	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2090 pF @ 30 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,9W (Ta), 115W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 15,5A (Ta), 98A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore del fornitore PowerDI5060-8 (tipo Q)
RDSon (max) a Id, Vgs 8mohm a 20A, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Vgs(th) max a Id 3V a 250µA	Codice componente base DMTH6010

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.22000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.31882

DMTH6010LPSWQ-13