
DMTH6016LSDQ-13 | |
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Codice DigiKey | DMTH6016LSDQ-13DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMTH6016LSDQ-13DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMTH6016LSDQ-13DIDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | DMTH6016LSDQ-13 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 60V 7.6A 8SO |
Tempi di consegna standard del produttore | 24 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 60V 7,6 A (Ta) 1,4W, 1,9W A montaggio superficiale 8-SO |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Diodes Incorporated | |
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (doppio) | |
Funzione FET | - | |
Tensione drain/source (Vdss) | 60V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 7,6 A (Ta) | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 19,5mohm a 10A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 17nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 864pF a 30V | |
Potenza - Max | 1,4W, 1,9W | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) | |
Contenitore del fornitore | 8-SO | |
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.38000 | Fr. 1.38 |
| 10 | Fr. 0.87400 | Fr. 8.74 |
| 100 | Fr. 0.58540 | Fr. 58.54 |
| 500 | Fr. 0.46186 | Fr. 230.93 |
| 1’000 | Fr. 0.42208 | Fr. 422.08 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.36767 | Fr. 919.17 |
| 5’000 | Fr. 0.34187 | Fr. 1’709.35 |
| 7’500 | Fr. 0.34130 | Fr. 2’559.75 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.38000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.49178 |





