Name: DMTH62M7SPSWQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH62M7SPSWQ-13TR-ND
Price: 0.6486 CHF
Availability: OutOfStock

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DMTH62M7SPSW-13

Diodes Incorporated

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DMTH62M7SPSWQ-13
Codice DigiKey	31-DMTH62M7SPSWQ-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMTH62M7SPSWQ-13
Descrizione	MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Tempi di consegna standard del produttore	28 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 170 A (Tc) 3W (Ta), 150W (Tc) Montaggio superficiale, fianchi impregnabili PowerDI5060-8 (tipo UX)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	170 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	2,7mohm a 30A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	68.7 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	4973 pF @ 30 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3W (Ta), 150W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale, fianchi impregnabili
Contenitore del fornitore	PowerDI5060-8 (tipo UX)
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN

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Nastrato in bobina (TR)