Name: DMTH69M8LFVWQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH69M8LFVWQ-7TR-ND
Price: 0.84318 CHF
Availability: InStock

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DMTH69M8LFVWQ-7
Codice DigiKey	31-DMTH69M8LFVWQ-7TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 31-DMTH69M8LFVWQ-7CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 31-DMTH69M8LFVWQ-7DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMTH69M8LFVWQ-7
Descrizione	MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 28ns/198ns LMR-1700 Montaggio superficiale, fianchi impregnabili PowerDI3333-8 (SWP) tipo UX
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	28ns/198ns
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	9,5mohm a 13,5A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	33.5 nC @ 10 V
Vgs (max)	±16V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1925 pF @ 30 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	LMR-1700
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale, fianchi impregnabili
Contenitore del fornitore	PowerDI3333-8 (SWP) tipo UX
Contenitore/involucro	8-PowerVDFN
Codice componente base	DMTH69

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In magazzino: 2’019

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)