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Equivalente parametrico


Diodes Incorporated
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.29971
Scheda tecnica
Canale N 80 V 92 A (Tc) 1,6W (Ta), 100W (Tc) Montaggio superficiale, fianchi impregnabili PowerDI5060-8 (tipo UX)
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DMTH8008SPSWQ-13

Codice DigiKey
31-DMTH8008SPSWQ-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
DMTH8008SPSWQ-13
Descrizione
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Tempi di consegna standard del produttore
40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 80 V 92 A (Tc) 1,6W (Ta), 100W (Tc) Montaggio superficiale, fianchi impregnabili PowerDI5060-8 (tipo UX)
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
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Categoria
Carica del gate (Qg) max a Vgs
34 nC @ 10 V
Produttore
Vgs (max)
±20V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1950 pF @ 40 V
Stato componente
Attivo
Dissipazione di potenza (max)
1,6W (Ta), 100W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia
Grado
Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss)
80 V
Qualifica
AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tipo di montaggio
Montaggio superficiale, fianchi impregnabili
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
6V, 10V
Contenitore del fornitore
PowerDI5060-8 (tipo UX)
RDSon (max) a Id, Vgs
7,8mohm a 14A, 10V
Contenitore/involucro
Vgs(th) max a Id
4V a 1mA
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (1)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
DMTH8008SPSW-13Diodes Incorporated031-DMTH8008SPSW-13TR-NDFr. 0.29971Equivalente parametrico
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2’500Fr. 0.35980Fr. 899.50
5’000Fr. 0.33459Fr. 1’672.95
7’500Fr. 0.33429Fr. 2’507.17
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.35980
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.38894