Name: DMWS120H100SM4
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMWS120H100SM4-ND
Price: 17.49058 CHF
Availability: InStock

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DMWS120H100SM4
Codice DigiKey	31-DMWS120H100SM4-ND
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMWS120H100SM4
Descrizione	SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 37,2 A (Tc) 208W (Tc) Foro passante TO-247-4
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)	1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	37,2 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	15V
RDSon (max) a Id, Vgs	100mohm a 20A, 15V
Vgs(th) max a Id	3,5V a 5mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	52 nC @ 15 V
Vgs (max)	+19V, -8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1516 pF @ 1000 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	208W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-247-4
Contenitore/involucro	TO-247-4
Codice componente base	DMWS120

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