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Novità in DigiKey
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DMWSH120H28SCT7Q-13 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 31-DMWSH120H28SCT7Q-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | DMWSH120H28SCT7Q-13 |
Descrizione | SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 |
Tempi di consegna standard del produttore | 16 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 1200 V 85,5A (Tj) 312W (Tc) A montaggio superficiale TO-263-7 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 184 nC @ 15 V |
Produttore | Vgs (max) +19V, -8V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3864 pF @ 1000 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 312W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia | Grado Automobilistico |
Tensione drain/source (Vdss) 1200 V | Qualifica AEC-Q101 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 15V | Contenitore del fornitore TO-263-7 |
RDSon (max) a Id, Vgs 28.5mohm a 50A, 15V | Contenitore/involucro |
Vgs(th) max a Id 3,6V a 17,7mA |
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Sostituti (1)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| DMWSH120H28SCT7Q | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMWSH120H28SCT7Q-ND | Fr. 18.89460 | Equivalente parametrico |
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 800 | Fr. 15.33656 | Fr. 12’269.25 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 15.33656 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 16.57882 |
