Name: DMWSH120H28SM3Q
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMWSH120H28SM3Q-ND
Price: 28.52759 CHF
Availability: InStock

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DMWSH120H28SM3Q
Codice DigiKey	31-DMWSH120H28SM3Q-ND
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMWSH120H28SM3Q
Descrizione	SICFET N-CH 1200V TO-247
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 97,4A (Tc) 405W (Tc) Foro passante TO-247
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)	1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	97,4A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	15V
RDSon (max) a Id, Vgs	28.5mohm a 50A, 15V
Vgs(th) max a Id	3,6V a 17,7mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	175 nC @ 15 V
Vgs (max)	+19V, -8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	3905 pF @ 1000 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	405W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-247
Contenitore/involucro	TO-247-3

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