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Scheda tecnica
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli NPN 80 V 8 A 3MHz 1.5 W A montaggio superficiale TO-252 (DPAK)
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MJD45H11Q-13

Codice DigiKey
31-MJD45H11Q-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
MJD45H11Q-13
Descrizione
TRANS NPN 80V 8A TO252
Tempi di consegna standard del produttore
40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli NPN 80 V 8 A 3MHz 1.5 W A montaggio superficiale TO-252 (DPAK)
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
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Categoria
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce
60 a 2A, 1V
Produttore
Potenza - Max
1.5 W
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Frequenza - Transizione
3MHz
Stato componente
Attivo
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di transistor
Grado
Automobilistico
Corrente - Collettore (Ic) max
8 A
Qualifica
AEC-Q101
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)
80 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic
1V a 400mA, 8A
Contenitore/involucro
TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Corrente - Interruzione collettore (max)
1µA
Contenitore del fornitore
TO-252 (DPAK)
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (3)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
MJD44H11-13Diodes Incorporated031-MJD44H11-13TR-NDFr. 0.21739Equivalente parametrico
MJD44H11Q-13Diodes Incorporated031-MJD44H11Q-13TR-NDFr. 0.25100Equivalente parametrico
MJD45H11-13Diodes Incorporated031-MJD45H11-13CT-NDFr. 0.93000Equivalente parametrico
Disponibile su ordinazione
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2’500Fr. 0.23746Fr. 593.65
5’000Fr. 0.23117Fr. 1’155.85
7’500Fr. 0.22803Fr. 1’710.23
12’500Fr. 0.22454Fr. 2’806.75
17’500Fr. 0.22250Fr. 3’893.75
25’000Fr. 0.22054Fr. 5’513.50
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.23746
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.25669