Name: MMBT5551Q-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-MMBT5551Q-7TR-ND
Price: 0.29187 CHF
Availability: OutOfStock

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MMBT5551Q-7
Codice DigiKey	31-MMBT5551Q-7TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 31-MMBT5551Q-7CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 31-MMBT5551Q-7DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	MMBT5551Q-7
Descrizione	TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli NPN 160 V 600 mA 300MHz 300 mW A montaggio superficiale SOT-23-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Transistor bipolari singoli	Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce 80 a 10mA, 5V
Produttore Diodes Incorporated	Potenza - Max 300 mW
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Frequenza - Transizione 300MHz
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di transistor NPN	Grado Automobilistico
Corrente - Collettore (Ic) max 600 mA	Qualifica AEC-Q101
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 160 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic 200mV a 5mA, 50mA	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Corrente - Interruzione collettore (max) 50 nA (ICBO)	Contenitore del fornitore SOT-23-3

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