MMDT4146-7-F Diodes Incorporated | Array di transistor bipolari

MMDT4146-7-F è obsoleto e non è più in produzione.

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MMDT4146-7-F
Codice DigiKey	MMDT4146-FDITR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	MMDT4146-7-F
Descrizione	TRANS NPN/PNP 25V 200MA SOT-363
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Array 1 NPN, 1 PNP 25V 200mA 300MHz, 250MHz 200mW A montaggio superficiale SOT-363
Modelli EDA/CAD	MMDT4146-7-F Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Array di transistor bipolari	Corrente - Interruzione collettore (max) 50 nA (ICBO)
Produttore Diodes Incorporated	Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce 120 a 2mA, 1V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Potenza - Max 200mW
Stato componente Obsoleto	Frequenza - Transizione 300MHz, 250MHz
Tipo di transistor 1 NPN, 1 PNP	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Collettore (Ic) max 200mA	Contenitore/involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 25V	Contenitore del fornitore SOT-363
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic 300mV a 5mA, 50mA / 400mV a 5mA, 50mA	Codice componente base MMDT4146