Name: DMWSH120H18HM4Q
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMWSH120H18HM4Q-ND
Price: 30.14909 CHF
Availability: InStock

Novità in DigiKey

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DMWSH120H18HM4Q
Codice DigiKey	31-DMWSH120H18HM4Q-ND
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMWSH120H18HM4Q
Descrizione	SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 108 A (Tc) 313W (Tc) Foro passante TO-247-4
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)	1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	108 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	18V
RDSon (max) a Id, Vgs	18mohm a 75A, 18V
Vgs(th) max a Id	4,4V a 37mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	158 nC @ 18 V
Vgs (max)	+22V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	4206 pF @ 800 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	313W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-247-4
Contenitore/involucro	TO-247-4

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