ZVN2120GTC Diodes Incorporated | Prodotti a semiconduttore discreti

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ZVN2120GTC
Codice DigiKey	ZVN2120GTC-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	ZVN2120GTC
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 200 V 320mA (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale SOT-223-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	320mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	10ohm a 250mA, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 1mA
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	85 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-223-3
Contenitore/involucro	TO-261-4, TO-261AA