Name: ZXMC3F31DN8TA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMC3F31DN8TADITR-ND
Price: 1.081 CHF
Availability: InStock

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ZXMC3F31DN8TA
Codice DigiKey	ZXMC3F31DN8TADITR-ND - Nastrato in bobina (TR) ZXMC3F31DN8TADICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) ZXMC3F31DN8TADIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	ZXMC3F31DN8TA
Descrizione	MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 6,8 A, 4,9 A 1,8W A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 12,9nC a 10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 608pF a 15V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 1,8W
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione Canale N e P	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Funzione FET Gate livello logico, comando 4,5V	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Tensione drain/source (Vdss) 30V	Contenitore del fornitore 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 6,8 A, 4,9 A	Codice componente base ZXMC3
RDSon (max) a Id, Vgs 24mohm a 7A, 10V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.00000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.08100

ZXMC3F31DN8TA