ZXMN10A25K Diodes Incorporated | FET, MOSFET singoli

ZXMN10A25K è obsoleto e non è più in produzione.

Sostituti disponibili:

Equivalente parametrico

Diodes Incorporated

In magazzino: 4’509

Prezzo unitario : Fr. 1.75000

Simile

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

In magazzino: 0

Prezzo unitario : Fr. 0.23753

Simile

Infineon Technologies

In magazzino: 8’978

Prezzo unitario : Fr. 1.16000

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ZXMN10A25K
Codice DigiKey	ZXMN10A25KTR-ND - Nastrato in bobina (TR) ZXMN10A25KCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) ZXMN10A25KDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	ZXMN10A25K
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 4,2 A (Ta) 2,11W (Ta) A montaggio superficiale TO-252-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 17.16 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Obsoleto	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 859 pF @ 50 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 2,11W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4,2 A (Ta)	Contenitore del fornitore TO-252-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
RDSon (max) a Id, Vgs 125mohm a 2,9A, 10V

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Sostituti (3)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
ZXMN10A25KTC	Diodes Incorporated	4’509	ZXMN10A25KTCCT-ND	Fr. 1.75000	Equivalente parametrico
AOD478	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	0	785-1599-2-ND	Fr. 0.23753	Simile
IRLR3410TRPBF	Infineon Technologies	8’978	IRLR3410PBFCT-ND	Fr. 1.16000	Simile

Obsoleto

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