Name: ZXMN2A01FTA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN2A01FTR-ND
Price: 0.56212 CHF
Availability: InStock

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ZXMN2A01FTA
Codice DigiKey	ZXMN2A01FTR-ND - Nastrato in bobina (TR) ZXMN2A01FCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) ZXMN2A01FDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	ZXMN2A01FTA
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 1,9 A (Ta) 625mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 700mV a 250µA (min)
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 3 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±12V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 303 pF @ 15 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 625mW (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 1,9 A (Ta)	Contenitore del fornitore SOT-23-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 2,5V, 4,5V	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RDSon (max) a Id, Vgs 120mohm a 4A, 4,5V	Codice componente base ZXMN2

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Classificazioni ambientali e di esportazione

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Sostituti (2)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
MGSF2N02ELT1G	onsemi	3’579	MGSF2N02ELT1GOSCT-ND	Fr. 0.45000	Simile
RUR020N02TL	Rohm Semiconductor	8’082	RUR020N02TLCT-ND	Fr. 0.65000	Simile

In magazzino: 26’772

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Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.52000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.56212

ZXMN2A01FTA