Name: ZXMN2A04DN8TA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN2A04DN8TR-ND
Price: 2.47549 CHF
Availability: InStock

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ZXMN2A04DN8TA
Codice DigiKey	ZXMN2A04DN8TR-ND - Nastrato in bobina (TR) ZXMN2A04DN8CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	ZXMN2A04DN8TA
Descrizione	MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 20V 5,9A 1,8W A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 700mV a 250µA (min)
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 22,1nC a 5V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1880pF a 10V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 1,8W
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione 2 canali N (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Funzione FET Porta a livello logico	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Tensione drain/source (Vdss) 20V	Contenitore del fornitore 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 5,9A	Codice componente base ZXMN2
RDSon (max) a Id, Vgs 25mohm a 5,9A, 4,5V

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Nastrato in bobina (TR)

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Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 2.29000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 2.47549

ZXMN2A04DN8TA